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Categorías de productos

Montaje en superficie

Características

Terminaciones SMD AlN
• Impedancia nominal: 50 Ω
• Tolerancia resistiva: ±5% estándar; ±3%, ±2%, ±1% disponible
• Material del sustrato: Nitruro de aluminio (AlN), óxido de aluminio (Al2O3)
• Potencia nominal: 2W-800W
• Rango de frecuencia: CC-18 GHz
• Temperatura de funcionamiento: -55 ℃ a +150 ℃, -55 ℃ a +175 ℃
• Coeficiente de temperatura: ±150 ppm/℃
• Cumple con RoHS


Terminaciones SMD AlNpdf.png
Terminación SMD BeOpdf.png
Terminación SMD CVDpdf.png

    Terminaciones SMD AlN

    Número de pieza Potencia nominal (W) Rango de frecuencia (GHz) VSWR (máx.) Dimensiones (mm) Dibujo de contorno
    L EN T DE LA
    ST50A-2-702A 2 DC-4 1.20:1 1.1 0.7 0,25 0.5 0.4 Figura A
    ST50N-10-203A 10 DC-4 1.20: 1 2.54 1.27 0.6 0.8 0.8 Figura A
    ST50N-10-006A 10 DC-8.5 1.30: 1 1.27 2.54 0,38 0.8 0.5 Figura A
    ST50N-20-107A 20 DC-7.5 1.35:1 3.0 1.5 0.6 1.5 0.8 Figura A
    ST50N-20-430A 20 DC-18 1.30: 1 2.5 5.0 0.6 1.0 0.6 Figura A
    ST50N-30-332A 30 DC-3 1.25:1 5.0 2.5 1.0 2.5 1.0 Figura A
    ST50N-60-329A 60 DC-4 1.25:1 6.35 6.35 1.0 1.4 1.0 Figura A
    ST50N-100-503A 100 DC-3 1.20:1 5.7 8.9 1.0 1.5 1.1 Figura A
    ST50N-150-516A 150 DC-3 1.20:1 5.7 8.9 1.0 3.0 1.2 Figura A
    ST50N-150-306A 150 DC-3 1.25:1 9.5 6.35 1.0 1.2 1.0 Figura A
    ST50N-250-407A 250 DC-2.7 1.25:1 9.5 5.7 1.0 2.9 1.1 Figura A
    ST50N-250-525A 250 DC-3 1.20: 1 9.5 9.5 1.0 2.5 1.1 Figura A
    ST50N-500-732A 500 DC-2.5 1.30: 1 12.7 12.7 2.0 2.6 1.6 Figura A
    ST50N-800-401A 800 DC-1 1.20:1 26.4 25.4 1.5 6.0 1.7 Figura A

    *Hay productos personalizados disponibles, consulte con Kete.

     

    Terminación SMD BeO

    Características eléctricas
    • Impedancia nominal: 50 Ω
    • Tolerancia resistiva: ±5% estándar; ±3%, ±2%, ±1% disponible
    • Material del sustrato: óxido de berilio (BeO), nitruro de aluminio (AlN)
    • Potencia nominal: 1W-500W
    • Temperatura de funcionamiento: -55 ℃ a +150 ℃
    • Coeficiente de temperatura: ±150 ppm/℃
    • Método de instalación: Unión con cable dorado en la parte frontal, soldadura o unión en la parte posterior.

    Número de pieza Sustrato Potencia nominal (W) Rango de frecuencia
    (GHz)
    VSWR (máx.) Dimensiones (mm)
    L EN T
    ST50N-1-301A AlN 1 DC-64 1.50:1 1.02 1.02 0,38
    ST50N-5-301A AlN 5 DC-42.5 1.50:1 1.02 1.02 0,38
    ST50-6-301A Vivir 6 DC-18 1.30:1 1.27 1.27 0,38
    ST50-10-710A Vivir 10 DC-18 1.35:1 2.54 1.27 0,38
    ST50N-12-701A AlN 12 DC-18 1.20:1 1.27 2.54 0,38
    ST50N-15-801A AlN 15 DC-18 1.20:1 1.5 3.0 0,38
    ST50-20-421B Vivir 20 DC-6 1.20:1 5.0 2.5 0.6
    ST50-30-406A Vivir 30 DC-18 1.20:1 2.5 5.0 0.6
    ST50-60-106A Vivir 60 DC-6 1.25:1 6.0 6.0 1.0
    ST50-100-201A Vivir 100 DC-6 1.25:1 6.0 9.0 1.0
    ST50-150-301A Vivir 150 DC-3 1.20:1 9.5 6.35 1.0
    ST50-250-025A Vivir 250 DC-3 1.20:1 9.5 9.5 1.5
    ST50-500-726A Vivir 500 DC-1 1.25:1 12.7 12.7 2.0

    *Hay productos personalizados disponibles, consulte con Kete.

     

    Terminación SMD CVD

    Características eléctricas
    • Impedancia nominal: 50 Ω
    • Tolerancia de resistencia: ±5% (predeterminado)
    • Material del sustrato: CVD
    • Potencia nominal: 20 W-300 W
    • Rango de frecuencia: CC-42,5 GHz
    • Coeficiente de temperatura: ±300 ppm/℃
    • Temperatura de funcionamiento: -55 ℃ a +150 ℃
    • Método de instalación: Unión con cable dorado en la parte frontal, soldadura o unión en la parte posterior.

    Número de pieza Sustrato Potencia nominal (W) Rango de frecuencia (GHz) VSWR (máx.) Dimensiones (mm)
    L EN T
    ST50C-20-801A ECV 20 DC-42.5 1.40:1 0,98 0,98 0,32
    ST50C-25-201A ECV 25 DC-7 1.20:1 1.6 0,89 0,38
    ST50C-25-601A ECV 25 DC-26 1.60:1 1.7 0.9 0,38
    ST50C-50-302A ECV 50 DC-20 1.60:1 1.4 1.4 0,38
    ST50C-100-002A ECV 100 DC-18 1,50:1 2.16 1.4 0,38
    ST50C-150-202A ECV 150 DC-14 1.40:1 3.4 2.7 0,38
    ST50C-300-201A ECV 300 DC-6 1.25:1 4.06 3.05 0,38

    *Hay productos personalizados disponibles, consulte con Kete.

    Las terminaciones de RF de alta potencia se utilizan como resistencias de equilibrio en distribuidores o como borde de absorción en híbridos y acopladores. Ofrecen una frecuencia de banda ancha, baja ROE (Voltaje de Onda de Radio) y excelente capacidad antipulso y antiburnout, entre otros.
    Kete Microwave fabrica terminaciones de chip en AlN, BeO o alúmina en configuraciones de montaje superficial.
    Terminaciones SMD de alta potencia en serie con potencia nominal de 5 W a 250 W. Todos los componentes resistivos cumplen con la normativa RoHS. Los ingenieros pueden contactarnos y diseñaremos una terminación de montaje superficial de alta potencia personalizada según sus especificaciones. Las aplicaciones de las resistencias de alta potencia incluyen divisores, combinadores, divisores de potencia, terminaciones, etc.