Bride
Caractéristiques
Terminaisons de bride AlN
• Impédance nominale : 50 Ω (autres valeurs Ω disponibles)
• Tolérance résistive : ±5 % standard ; ±3 %, ±2 %, ±1 % disponible
• Matériau du substrat : nitrure d'aluminium (AlN), oxyde d'aluminium (Al2O3)
• Puissance nominale : 10 W à 800 W
• Gamme de fréquences : DC-4 GHz
• Température de fonctionnement : -55℃ à +150℃
• Coefficient de température : ±150 ppm/℃
• Conforme RoHS
Terminaisons de bride AlN
| Numéro de pièce | Puissance nominale (W) | Fréquence (GHz) | ROS (Max.) | Dimensions (mm) | Contour Dessin | ||||||||||
| L | DANS | T | DE | WB | LE | toilettes | PAREMENT | tuberculose | TC | UN | |||||
| FT50A-10-4-724A-DMJ | 10 | DC-4 | 1,25:1 | 4.0 | 13 | 3.0 | 2.1 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 0,15 | 1.0 | 2.1 | 2.0 | A-2 |
| FT50N-20-3-308A-SLJ | 20 | DC-3 | 1.20:1 | 5.0 | 7.7 | 3,5 | 5.1 | 2,5 | 4.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 2.6 | 3.1 | A-1 |
| FT50N-20-3-308A-SRJ | 20 | DC-3 | 1.20:1 | 5.0 | 7.7 | 3,5 | 5.1 | 2,5 | 4.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 2.6 | 3.1 | A-1 |
| FT50N-20-4-706A-DMJ | 20 | DC-4 | 1.20:1 | 4.0 | 13.0 | 3.0 | 9.0 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 0,1 | 1.0 | 2.1 | 2.0 | A-2 |
| FT50N-30-4-318A-SLJ | 30 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 3,5 | 3.2 | A-1 |
| FT50N-30-4-318A-SMJ | 30 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 3,5 | 3.2 | A-1 |
| FT50N-30-4-318A-SRJ | 30 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 3,5 | 3.2 | A-1 |
| FT50N-60-4-318A-SLJ | 60 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 3,5 | 3.2 | A-1 |
| FT50N-60-4-318A-SMJ | 60 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 3,5 | 3.2 | A-1 |
| FT50N-60-4-318A-SRJ | 60 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 3,5 | 3.2 | A-1 |
| FT50N-100-4-318B-SLJ | 100 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | / | 3.2 | B-1 |
| FT50N-100-4-318B-SMJ | 100 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | / | 3.2 | B-1 |
| FT50N-100-4-318B-SRJ | 100 | DC-4 | 1,25:1 | 6.35 | 13.0 | 2.9 | 10.0 | 6.35 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | / | 3.2 | B-1 |
| FT50N-100-3-503A-DMJ | 100 | DC-3 | 1.20:1 | 6.0 | 20.0 | 3,5 | 14 | 8,9 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 2.6 | 3.2 | A-2 |
| FT50N-150-3-514A-DMJ | 150 | DC-3 | 1,25:1 | 5.7 | 20.0 | 3,5 | 14.0 | 8,9 | 6.0 | 1.4 | 0,1 | 1,5 | 2.6 | 3.2 | A-2 |
| FT50N-150-2-343A-DMJ | 150 | DC-2.2 | 1,25:1 | 6.35 | 22.1 | 3,5 | 14.2 | 9,5 | 6.0 | 1.0 | 0,1 | 1,5 | 2.6 | 4.1 | A-2 |
| FT50N-200-4-342A-DMJ | 200 | DC-4 | 1.20:1 | 6,5 | 25,0 | 3,5 | 18,5 | 9,5 | 3.0 | 1.0 | 0,15 | 1,5 | 2.6 | 3.2 | A-2 |
| FT50N-250-3-017B-DMJ | 250 | DC-3 | 1.20:1 | 9,5 | 24,8 | 4,9 | 18.4 | 9,5 | 3,5 | 1.4 | 0,1 | 3.0 | / | 3,5 | B-2 |
| FT50N-300-3-601B-DMJ | 300 | DC-3 | 1:20:1 | 10.0 | 27,0 | 4.8 | 21.0 | 10.0 | 6.0 | 1.4 | 0,1 | 2,5 | / | 3.2 | B-2 |
| FT50N-500-3-732A-DMJ | 500 | DC-2.5 | 1.30:1 | 12,7 | 32,0 | 6,5 | 22.0 | 12,7 | 8.0 | 2.4 | 0,15 | 3.2 | 5.3 | 4.0 | A-2 |
| FT50N-800-1-401A-DMJ | 800 | DC-1 | 1:20:1 | 26,4 | 48,3 | 6,5 | 40 | 25,4 | 8.0 | 2.4 | 0,15 | 3.2 | 5.0 | 4.2 | A-2 |
* Des produits personnalisés sont disponibles, veuillez consulter Kete.
Terminaisons de bride BeO
Caractéristiques électriques
• Impédance nominale : 50 Ω
• Tolérance résistive : ±5 % standard ; ±3 %, ±2 %, ±1 % disponible
• Matériau du substrat : oxyde de béryllium (BeO)
• Puissance nominale : 30 W-1500 W
• Température de fonctionnement : -55℃ à +150℃
• Coefficient de température : ±150 ppm/℃
• Méthode d'installation : La bride est fixée avec des vis et doit être en contact étroit avec le dissipateur thermique.
Le fil conducteur peut être soudé avec un fer à souder.
| Numéro de pièce | Substrat | Puissance nominale (W) | Gamme de fréquences (GHz) | ROS (max.) | Dimensions (mm) | ||
| L | DANS | T | |||||
| FT50-30-18-402A-SMJ | En direct | 30 | DC-18 | 1,35 : 1 | 7.7 | 5.0 | 3.1 |
| FT50-60-3-106A-DMJ | En direct | 60 | DC-3 | 1.20 : 1 | 6.0 | 20.0 | 3,5 |
| FT50-100-6-201A-DMJ | En direct | 100 | DC-6 | 1.30 : 1 | 6.0 | 20 | 3,5 |
| FT50-200-9-718A-DMJ | En direct | 200 | DC-9 | 1.30 : 1 | 12,7 | 32,0 | 6,5 |
| FT50-250-3-019A-DMJ | En direct | 250 | DC-3 | 1,25 : 1 | 9,5 | 24,8 | 5.5 |
| FT50-400-2-702A-DMJ | En direct | 400 | DC-2 | 1,25 : 1 | 12,7 | 28,0 | 7,9 |
| FT50-800-1-102A-DMJ | En direct | 800 | DC-1 | 1.20 : 1 | 26,4 | 48,3 | 6,5 |
| FT50-1500-0.2-411-D-M-J | En direct | 1500 | DC-0,162 | 1.15 : 1 | 80,0 | 60,0 | 9.1 |
* Des produits personnalisés sont disponibles, veuillez consulter Kete.
Les résistances haute puissance sont utilisées comme résistances d'équilibrage sur les allotteurs ou comme résistances d'absorption dans les hybrides et les coupleurs. Elles offrent une large bande passante, un faible ROS et une excellente capacité anti-impulsion et anti-brûlure, etc.
Kete Microwave propose des résistances à bride d'une puissance nominale de 5 W à 1 000 W et d'une plage de fréquences de DC à 18 GHz. La résistance standard est de 50 Ω. Les substrats sont disponibles en AlN, BeO2 ou alumine. Tous les composants résistifs sont conformes à la directive RoHS. N'hésitez pas à nous contacter pour que nous concevions une résistance à bride haute puissance sur mesure, répondant précisément à vos spécifications.
Les applications des résistances haute puissance comprennent les répartiteurs, les combinateurs, les diviseurs de puissance, les isolateurs, les amplificateurs de puissance, les systèmes radar, etc.