Montaggio superficiale
Caratteristiche
Terminazioni SMD AlN
• Impedenza nominale: 50 Ω
• Tolleranza resistiva: ±5% standard; ±3%, ±2%, ±1% disponibile
• Materiale del substrato: nitruro di alluminio (AlN), ossido di alluminio (Al2O3)
• Potenza nominale: 2W-800W
• Gamma di frequenza: DC-18 GHz
• Temperatura di esercizio: da -55℃ a +150℃, da -55℃ a +175℃
• Coefficiente di temperatura: ±150 ppm/℃
• Conforme alla direttiva RoHS
Terminazioni SMD AlN
Terminazione SMD BeO
Terminazione SMD CVD
Terminazioni SMD AlN
| Numero di parte | Potenza nominale (W) | Gamma di frequenza (GHz) | ROS (Max.) | Dimensioni (mm) | Disegno di contorno | ||||
| L | IN | T | DI | IL | |||||
| ST50A-2-702A | 2 | DC-4 | 1.20 : 1 | 1.1 | 0,7 | 0,25 | 0,5 | 0,4 | Figura A |
| ST50N-10-203A | 10 | DC-4 | 1.20: 1 | 2.54 | 1.27 | 0,6 | 0,8 | 0,8 | Figura A |
| ST50N-10-006A | 10 | DC-8.5 | 1.30: 1 | 1.27 | 2.54 | 0,38 | 0,8 | 0,5 | Figura A |
| ST50N-20-107A | 20 | DC-7.5 | 1.35 : 1 | 3.0 | 1.5 | 0,6 | 1.5 | 0,8 | Figura A |
| ST50N-20-430A | 20 | DC-18 | 1.30: 1 | 2.5 | 5.0 | 0,6 | 1.0 | 0,6 | Figura A |
| ST50N-30-332A | 30 | DC-3 | 1.25: 1 | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.5 | 1.0 | Figura A |
| ST50N-60-329A | 60 | DC-4 | 1.25: 1 | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.4 | 1.0 | Figura A |
| ST50N-100-503A | 100 | DC-3 | 1.20 : 1 | 5.7 | 8.9 | 1.0 | 1.5 | 1.1 | Figura A |
| ST50N-150-516A | 150 | DC-3 | 1.20 : 1 | 5.7 | 8.9 | 1.0 | 3.0 | 1.2 | Figura A |
| ST50N-150-306A | 150 | DC-3 | 1,25:1 | 9.5 | 6.35 | 1.0 | 1.2 | 1.0 | Figura A |
| ST50N-250-407A | 250 | DC-2.7 | 1,25:1 | 9.5 | 5.7 | 1.0 | 2.9 | 1.1 | Figura A |
| ST50N-250-525A | 250 | DC-3 | 1.20: 1 | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 2.5 | 1.1 | Figura A |
| ST50N-500-732A | 500 | DC-2.5 | 1.30 : 1 | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 2.6 | 1.6 | Figura A |
| ST50N-800-401A | 800 | DC-1 | 1.20 : 1 | 26.4 | 25.4 | 1.5 | 6.0 | 1.7 | Figura A |
* Sono disponibili prodotti personalizzati, consultare Kete.
Terminazione SMD BeO
Caratteristiche elettriche
• Impedenza nominale: 50 Ω
• Tolleranza resistiva: ±5% standard; ±3%, ±2%, ±1% disponibile
• Materiale del substrato: ossido di berillio (BeO), nitruro di alluminio (AlN)
• Potenza nominale: 1W-500W
• Temperatura di esercizio: da -55℃ a +150℃
• Coefficiente di temperatura: ±150 ppm/℃
• Metodo di installazione: saldatura con filo d'oro sul lato anteriore, saldatura o incollaggio sul retro.
| Numero di parte | Substrato | Potenza nominale (W) | Gamma di frequenza (GHz) | ROS (Max.) | Dimensioni (mm) | ||
| L | IN | T | |||||
| ST50N-1-301A | AlN | 1 | DC-64 | 1.50:1 | 1.02 | 1.02 | 0,38 |
| ST50N-5-301A | AlN | 5 | DC-42.5 | 1.50:1 | 1.02 | 1.02 | 0,38 |
| ST50-6-301A | Vivere | 6 | DC-18 | 1.30:1 | 1.27 | 1.27 | 0,38 |
| ST50-10-710A | Vivere | 10 | DC-18 | 1.35:1 | 2.54 | 1.27 | 0,38 |
| ST50N-12-701A | AlN | 12 | DC-18 | 1.20:1 | 1.27 | 2.54 | 0,38 |
| ST50N-15-801A | AlN | 15 | DC-18 | 1.20:1 | 1.5 | 3.0 | 0,38 |
| ST50-20-421B | Vivere | 20 | DC-6 | 1.20:1 | 5.0 | 2.5 | 0,6 |
| ST50-30-406A | Vivere | 30 | DC-18 | 1.20:1 | 2.5 | 5.0 | 0,6 |
| ST50-60-106A | Vivere | 60 | DC-6 | 1.25:1 | 6.0 | 6.0 | 1.0 |
| ST50-100-201A | Vivere | 100 | DC-6 | 1.25:1 | 6.0 | 9.0 | 1.0 |
| ST50-150-301A | Vivere | 150 | DC-3 | 1.20:1 | 9.5 | 6.35 | 1.0 |
| ST50-250-025A | Vivere | 250 | DC-3 | 1.20:1 | 9.5 | 9.5 | 1.5 |
| ST50-500-726A | Vivere | 500 | DC-1 | 1.25:1 | 12.7 | 12.7 | 2.0 |
* Sono disponibili prodotti personalizzati, consultare Kete.
Terminazione SMD CVD
Caratteristiche elettriche
• Impedenza nominale: 50 Ω
• Tolleranza di resistenza: ±5% (predefinito)
• Materiale del substrato: CVD
• Potenza nominale: 20W-300W
• Gamma di frequenza: DC-42,5 GHz
• Coefficiente di temperatura: ±300 ppm/℃
• Temperatura di esercizio: da -55℃ a +150℃
• Metodo di installazione: saldatura con filo d'oro sul lato anteriore, saldatura o incollaggio sul retro.
| Numero di parte | Substrato | Potenza nominale (W) | Gamma di frequenza (GHz) | ROS (Max.) | Dimensioni (mm) | ||
| L | IN | T | |||||
| ST50C-20-801A | malattie cardiovascolari | 20 | DC-42.5 | 1.40 :1 | 0,98 | 0,98 | 0,32 |
| ST50C-25-201A | malattie cardiovascolari | 25 | DC-7 | 1.20 :1 | 1.6 | 0,89 | 0,38 |
| ST50C-25-601A | malattie cardiovascolari | 25 | DC-26 | 1.60 :1 | 1.7 | 0,9 | 0,38 |
| ST50C-50-302A | malattie cardiovascolari | 50 | DC-20 | 1.60 :1 | 1.4 | 1.4 | 0,38 |
| ST50C-100-002A | malattie cardiovascolari | 100 | DC-18 | 1.50 :1 | 2.16 | 1.4 | 0,38 |
| ST50C-150-202A | malattie cardiovascolari | 150 | DC-14 | 1.40 :1 | 3.4 | 2.7 | 0,38 |
| ST50C-300-201A | malattie cardiovascolari | 300 | DC-6 | 1.25 :1 | 4.06 | 3.05 | 0,38 |
* Sono disponibili prodotti personalizzati, consultare Kete.
Le terminazioni RF ad alta potenza vengono utilizzate come resistori di bilanciamento su allotter o come bordo di assorbimento in ibridi e accoppiatori. Presentano un'ampia banda di frequenza, un basso ROS (rossismo effettivo), eccellenti capacità anti-impulso e anti-burnout, ecc.
Kete Microwave produce terminazioni di chip su AlN, BeO o Alumina in configurazioni di montaggio superficiale.
Terminazioni seriali SMD ad alta potenza con potenza nominale da 5W a 250W. Tutti i componenti resistivi sono conformi alla direttiva RoHS. I nostri ingegneri sono invitati a contattarci e progetteremo una terminazione ad alta potenza a montaggio superficiale personalizzata in base alle vostre specifiche. Le applicazioni delle resistenze ad alta potenza includono splitter, combinatori, divisori di potenza, terminazioni, ecc.