расследование
Leave Your Message
слайд1
01
Категории продуктов

Поверхностный монтаж

Функции

SMD-аттенюаторы AlN
• Входное сопротивление: 50 Ом
• Номинальная мощность: 10–250 Вт
• Материал подложки: нитрид алюминия (AlN)
• Диапазон частот: DC-5 ГГц
• Значение затухания: 1–30 дБ
• Допустимое затухание: 1–10 дБ ±0,6 дБ / 11–20 дБ ±0,8 дБ / 21–30 дБ ±1,0 дБ
• Рабочая температура: от -55℃ до +150℃, от -55℃ до +175℃
• Температурный коэффициент: ±150 ppm/℃
• Соответствует RoHS


SMD-аттенюаторы AlNpdf.png 
SMD-аттенюаторы Beopdf.png

    SMD-аттенюаторы AlN

    Номер детали Номинальная мощность (Вт) Значение затухания (дБ) Частота (ГГц) КСВ (макс.) Размеры (мм) Контурный рисунок
    Л В Т ИЗ ВБ ТО ФУНТ
    СА10Н-20-337А 10 20 DC-3 1.35 : 1 5.0 2.5 1.0 2.3 2.3 0,2 0,2 Рисунок А
    SA10N-XX-601A 10 1-30 DC-5 1,25 : 1 5.0 2.5 0,635 0,7 0,78 1.0 0,7 Рисунок А
    СА20Н-30-313А 20 30 DC-4 1,25 : 1 5.0 2.5 0,76 0,70 0,78 1.0 0,7 Рисунок А
    СА60Н-30-301А 60 30 DC-3 1.35 : 1 6.35 6.35 1.0 1.1 1.1 1.0 1.0 Рисунок А
    СА100Н-20-513А 100 20 DC-4 1.30 :1 5.7 8.9 1.0 1.2 1.2 1.0 1.0 Рисунок А
    СА100Н-30-523А 100 30 DC-4 1,25 : 1 5.7 8.9 1.0 1.5 1.5 1.0 1.0 Рисунок А
    СА100Н-20-502Б 100 20 DC-3 1.20 : 1 5.7 8.9 1.0 1.5 1.5 1.0 1.0 Рисунок Б
    СА100Н-30-501Б 100 30 DC-3 1.20 : 1 5.7 8.9 1.0 1.2 1.2 1.0 1.0 Рисунок Б
    СА150Н-20-327Б 150 20 DC-3 1,25 : 1 6.35 9.5 1.0 1.4 1.40 1.0 1.0 Рисунок Б
    СА150Н-30-371Б 150 30 DC-1 1,25 : 1 6.35 9.5 1.0 1.3 1.0 0,75 1.0 Рисунок Б
    СА250Н-30-007Б 250 30 DC-3 1,25 : 1 9.5 9.5 1.0 1.3 1.0 0,75 1.0 Рисунок Б

    * Доступны индивидуальные изделия, проконсультируйтесь с Кете.

     

    SMD-аттенюаторы Beo

    Электрические характеристики

    • Входное сопротивление: 50 Ом

    • Номинальная мощность: 5–50 Вт

    • Материал подложки: оксид бериллия (BeO)

    • Диапазон частот: DC-13 ГГц

    • Значение затухания: 1–30 дБ

    • Допустимое затухание: 1–10 дБ ±0,6 дБ / 11–20 дБ ±0,8 дБ / 21–30 дБ ±1,0 дБ

    • Рабочая температура: от -55 ℃ до +150 ℃

    • Температурный коэффициент: ±150 ppm/℃

     

    Номер детали Субстрат Номинальная мощность (Вт) Диапазон частот (ГГц) Значение затухания (дБ) КСВ (макс.) Размеры (мм)
    Л В Т
    СА5-ХХ-201С Жить 5 DC-13 1-20 1.30 :1 2.5 2.5 0,38
    SA5-XX-303C Жить 5 DC-3.5 1-30 1.35 : 1 4.0 4.0 0,6
    СА50-ХХ-108Б Жить 50 ДС-6.2 1-30 1.35 : 1 6.0 6.0 1.0

    * Доступны индивидуальные изделия, проконсультируйтесь с Кете.

    Компания Kete Microwave производит микросхемы-аттенюаторы на основе оксида алюминия, нитрида алюминия (AlN) или оксида бериллия (BeO) различных размеров и конфигураций выводов. Аттенюаторы серии SA для поверхностного монтажа имеют номинальную мощность от 2 до 250 Вт, диапазон частот от 0 до 3 ГГц, коэффициент затухания от 0 до 30 дБ. Эти радиочастотные компоненты разработаны и изготовлены из высококачественных материалов, что гарантирует высокую и стабильную работу. Свяжитесь с нами, и мы разработаем микросхему-аттенюатора по вашим точным спецификациям.