Вкладка и обложка
Функции
Выводы и крышки AlN
• Номинальное сопротивление: 50 Ом
• Допустимое отклонение сопротивления: стандартно ±5%; доступно ±3%, ±2%, ±1%
• Материал подложки: нитрид алюминия (AlN)
• Номинальная мощность: 20–800 Вт
• Диапазон частот: DC-4 ГГц
• Рабочая температура: от -55 ℃ до +150 ℃
• Температурный коэффициент: ±150 ppm/℃
• Соответствует RoHS
Выводы и крышки AlN
Завершение работы с вкладками и крышками BeO
Выводы и крышки AlN
| Номер детали | Номинальная мощность (Вт) | Частота (ГГц) | КСВ(макс.) | Размеры (мм) | Контурный рисунок | ||||||
| Л | В | Т | ТО | ИЗ | ОБЛИЦОВКА | туберкулез | |||||
| ТТ50Н-20-308А | 20 | DC-3 | 1.20:1 | 2.5 | 5.0 | 1.9 | 4.0 | 1.0 | 0.1 | 1.0 | Рисунок А |
| ТТ50Н-100-340А | 100 | DC-4 | 1.20:1 | 6.35 | 6.35 | 1.9 | 6.0 | 1.0 | 0.1 | 1.0 | Рисунок А |
| ТТ50Н-150-521А | 150 | DC-3 | 1.25:1 | 5.7 | 8.9 | 1.0 | 6.0 | 1.0 | 0.1 | / | Рисунок А |
| ТТ50Н-150-701А | 150 | DC-3 | 1.20:1 | 9.5 | 6.35 | 1.5 | 3.2 | 1.0 | 0.1 | / | Рисунок А |
| ТТ50Н-500-732А | 500 | DC-2.5 | 1.30:1 | 12.7 | 12.7 | 1.5 | 8.0 | 2.4 | 0,15 | / | Рисунок А |
| ТТ50Н-800-401А | 800 | DC-1 | 1.20:1 | 26.4 | 25.4 | 2.0 | 8.0 | 2.4 | 0,15 | / | Рисунок А |
| ТТ50Н-60-318Б | 60 | DC-4 | 1.20:1 | 6.35 | 6.35 | 1.2 | 6.0 | 1.0 | 0.1 | / | Рисунок Б |
| ТТ50Н-100-503Б | 100 | DC-3 | 1.25:1 | 5.7 | 8.9 | 1.2 | 6.0 | 1.0 | 0.1 | / | Рисунок Б |
| ТТ50Н-250-525Б | 250 | DC-3 | 1.20:1 | 9.5 | 9.5 | 1.2 | 6.0 | 1.4 | 0.1 | / | Рисунок Б |
| ТТ50Н-300-604Б | 300 | DC-4 | 1.25:1 | 10.0 | 10.0 | 1.5 | 6.0 | 1.4 | 0.1 | / | Рисунок Б |
* Доступны индивидуальные изделия, проконсультируйтесь с Кете.
Завершение работы с вкладками и крышками BeO
Электрические характеристики
• Номинальное сопротивление: 50 Ом
• Допустимое отклонение сопротивления: стандартно ±5%; доступно ±3%, ±2%, ±1%
• Материал подложки: оксид бериллия (BeO)
• Номинальная мощность: 10–800 Вт
• Рабочая температура: от -55 ℃ до +150 ℃
• Температурный коэффициент: ±150 ppm/℃
• Способ установки: пайка оловом с обратной стороны, выводной провод можно приварить паяльником.
| Номер детали | Субстрат | Номинальная мощность (Вт) | Диапазон частот (ГГц) | КСВ (макс.) | Размеры (мм) | ||
| Л | В | Т | |||||
| ТТ50-10-710А | Жить | 10 | DC-18 | 1.40 : 1 | 2.54 | 1.27 | 1.3 |
| ТТ50-20-206А | Жить | 20 | DC-18 | 1.35 : 1 | 3.0 | 2.5 | 1.5 |
| ТТ50-30-402А | Жить | 30 | DC-18 | 1.30 : 1 | 2.5 | 5.0 | 1.5 |
| ТТ50-60-106А | Жить | 60 | DC-6 | 1.20 : 1 | 6.0 | 6.0 | 1.9 |
| ТТ50-100-804А | Жить | 100 | DC-14 | 1.35 : 1 | 6.35 | 6.35 | 2.4 |
| ТТ50-100-215А | Жить | 100 | DC-6 | 1.25 : 1 | 6.0 | 9.0 | 1.9 |
| ТТ50-250-019А | Жить | 250 | DC-3 | 1.25 : 1 | 9.5 | 9.5 | 2.4 |
| ТТ50-250-701А | Жить | 250 | DC-10.5 | 1.40 : 1 | 10.0 | 12.0 | 2.8 |
| ТТ50-300-803А | Жить | 300 | DC-3.5 | 1.30 : 1 | 10.0 | 12.7 | 2.9 |
| ТТ50-500-702А | Жить | 500 | DC-2 | 1.20 : 1 | 12.7 | 12.7 | 3.3 |
| ТТ50-800-102А | Жить | 800 | DC-1 | 1.20 : 1 | 26.4 | 25.4 | 3.3 |
* Доступны индивидуальные изделия, проконсультируйтесь с Кете.
Компания Kete Microwave производит выводные выводы на основе нитрида алюминия (AlN), оксида бериллия (BeO) или оксида алюминия. Эти выводы доступны в различных размерах. Мощные резисторы серии TR с номинальной мощностью 3–500 Вт, диапазоном частот от постоянного тока до 18 ГГц. Диапазон импеданса: от 4 до 400 Ом, стандартный резистор — 50 Ом. Эти ВЧ-выводы разработаны и изготовлены из высококачественных материалов, что гарантирует хорошую и стабильную работу.
Области применения высокомощных резисторов включают базовые станции, усилители мощности, изоляторы и циркуляторы, разветвители, сумматоры, радиолокационные системы и т. д.